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60V/20A 低压MOS管 20N06 TO-252
60V/20A 低压MOS管 20N06 TO-252
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:20N06
产品封装:TO-252
产品标题:60V/20A 低压MOS管 20N06 TO-252 UPS用MOS 增强型NMOS
咨询热线:0769-89268116

产品详情


60V/20A 低压MOS管 20N06 TO-252 UPS用MOS 增强型NMOS



低压MOS管 20N06的产品特点:

  • VDS=60V

  • ID=20A

  • RDS(ON)<40mΩ@VGS=10V

  • 封装:TO-252



低压MOS管 20N06的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:60V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:20A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:40A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:22mJ

  • 雪崩电流 IAS:21A

  • 总耗散功率 PD:31.3W

  • 结到环境的热阻 RθJA:62℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:4℃/W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:-55~150℃



低压MOS管 20N06的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压60

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=15A


3340
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=7A


4050
VGS(th)
栅极开启电压1
2.5V
IGSS

栅极漏电流



±100nA
Qg栅极电荷
19
nC
Qgs栅源电荷密度

2.5
Qgd栅漏电荷密度
5
Ciss输入电容
1027
pF
Coss输出电容
65
Crss反向传输电容
46
td(on)开启延迟时间
2.8
ns
tr开启上升时间
16.6
td(off)关断延迟时间
21.2
tf
开启下降时间
5.6



低压MOS管 20N06的封装外形尺寸图:

image.png


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