宇芯电子可控硅一站式解决方案提供商专注老鬼看盘今天任九推荐,双向可控硅,国产可控硅,高压可控硅,达林顿芯片等半导体器件的应用服务。
当前位置: 首页 ? 产品中心 ? 宇芯微产品 ? MOS管 ? 中低压MOS管 ? N沟道场效应管 50N06 PDFN3X3-8L

产品分类

Product Categories
N沟道场效应管 50N06 PDFN3X3-8L
N沟道场效应管 50N06 PDFN3X3-8L
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:50N06
产品封装:PDFN3X3-8L
产品标题:N沟道场效应管 50N06 PDFN3X3-8L 贴片MOS 开关用MOS管
咨询热线:0769-89268116

产品详情


N沟道场效应管 50N06 PDFN3X3-8L 贴片MOS 开关用MOS管



贴片MOS 50N06的特点:

  • VDS=60V

  • ID=50A

  • RDS(ON)<16mΩ@VGS=10V

  • 封装:TO-252



贴片MOS 50N06的用途:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS不间断电源



贴片MOS 50N06的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:60V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:50A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:120A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:80mJ

  • 雪崩电流 IAS:40A

  • 总耗散功率 PD:41W

  • 结到环境的热阻 RθJA:35℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:3℃/W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:-55~150℃



贴片MOS 50N06的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压60

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=20A


7.18.5
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=15A


9.512
VGS(th)
栅极开启电压1.2
2.5V
IGSS

栅极漏电流



±100nA
Qg栅极电荷
57
nC
Qgs栅源电荷密度

8.7
Qgd栅漏电荷密度
14
Ciss输入电容
3307
pF
Coss输出电容
201
Crss反向传输电容
151
td(on)开启延迟时间
16.2
ns
tr开启上升时间
41.2
td(off)关断延迟时间
56.4
tf
开启下降时间
16.2


产品推荐

Product recommendations
*本站相关网页素材及相关资源均来源互联网,如有侵权请速告知,我们将会在24小时内删除*
技术支持:
城市分站广东北京天津河北山西内蒙古自治区辽宁吉林黑龙江上海江苏浙江安徽福建江西山东河南湖北湖南广西海南重庆四川贵州云南西藏陕西甘肃青海宁夏新疆北京天津石家庄太原呼和浩特沈阳长春哈尔滨上海南京杭州合肥福州南昌济南郑州武汉长沙广州韶关深圳珠海汕头佛山江门湛江茂名肇庆惠州梅州汕尾河源阳江清远东莞中山潮州揭阳云浮南宁?重庆成都贵阳昆明拉萨西安兰州西宁银川乌鲁木齐