宇芯电子可控硅一站式解决方案提供商专注老鬼看盘今天任九推荐,双向可控硅,国产可控硅,高压可控硅,达林顿芯片等半导体器件的应用服务。
高压可控硅厂家的图片
高压可控硅厂家的图片
当前位置: 首页 ? 产品中心 ? 宇芯微产品 ? 可控硅 ? 双向可控硅 ? 三象限双向可控硅 T1610 TO-220A

产品分类

Product Categories
高压可控硅厂家的图片
三象限双向可控硅 T1610 TO-220A
三象限双向可控硅 T1610 TO-220A
产品品牌:16A 三端双向可控硅 T1610 插件双向可控硅
产品类型:双向可控硅
产品型号:T1610
产品封装:TO-220A
产品标题:16A 三端双向可控硅 T1610 插件双向可控硅
咨询热线:0769-89268116
高压可控硅厂家的图片高压可控硅厂家的图片

产品详情


16A 三端双向可控硅 T1610 插件双向可控硅



一、T1610的脚位图:

blob.png



二、T1610的特点:

  • NPNPN 五层结构的硅双向器件

  • P 型对通扩散隔离

  • 台面玻璃钝化工艺

  • 背面多层金属电极

  • 工作结温高,换向能力强

  • 高电压变化率 dV/dt

  • 大电流变化率 dI/dt

  • 符合 RoHS 规范

  • 封装形式:TO-220A



三、T1610的应用:

        加热控制器、马达调速控制器、麻将机、搅拌机、直发器、面包机等家用电器



四、T1610的极限参数(TCASE=25℃):

符号参数数值单位
VDRM/VRRM断态重复峰值电压600/800V
IT(RMS)通态均方根电流16A
ITSM通态不重复浪涌电流160
I2t
I2t 值144A2s
dIT/dt通态电流临界上升率50A/μs
IGM门极峰值电流4A
PG(AV)门极平均功率1W
TSTG
存储温度-40~+150
Tj工作结温-40~+125



五、T1610的电特性:

符号参数数值单位
IGT门极触发电流≤10mA
VGT门极触发电压≤1.3V
VGD
门极不触发电压≥0.2
IH维持电流≤15mA
IL
擎住电流 I-III≤25
擎住电流 II≤30
dVD/dt
断态电压临界上升率≥40V/μs
VTM
通态压降≤1.55V
IDRM/IRRM

断态重复峰值电流

VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃

≤5μA

断态重复峰值电流

VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃

≤1mA


产品推荐

Product recommendations
*本站相关网页素材及相关资源均来源互联网,如有侵权请速告知,我们将会在24小时内删除*
技术支持:
湖南衡阳永州龙山红塔吴中黄岩