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60VN沟道场效应管 GMP60N06 TO-220
60VN沟道场效应管 GMP60N06 TO-220
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:GMP60N06
产品封装:TO-220
产品标题:功率场效应管 GMP60N06 TO-220 增强型MOSFET
咨询热线:0769-89268116
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产品详情


功率场效应管 GMP60N06 TO-220 增强型MOSFET



功率场效应管 GMP60N06的内部结构:

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功率场效应管 GMP60N06的应用:

        开关电源、直流直流变换和不间断电源、脉宽调制电机控制、普通开关应用



功率场效应管 GMP60N06的极限值:

参数
符号数值单位
漏极-源极电压BVDSS60V
栅极-源极电压VGS±20

漏极电流-连续

TC=25℃

ID60A

漏极电流-连续

TC=100℃

39
漏极电流-脉冲IDM120A

总耗散功率

TC=25℃

PTOT120W
结温/储存温度
TJ,Tstg-55~150



功率场效应管 GMP60N06的电特性:

参数符号最小值典型值最大值单位
漏极-源极击穿电压BVDSS60

V
栅极开启电压VGS(th)234
零栅压漏极电流IDSS

1uA
栅极漏电流
IGSS

±100nA

静态漏源导通电阻

ID=30A,VGS=10V

RDS(ON)
1618
源极-漏极电流
ISD

60A
源极-漏极电流(脉冲)ISDM

120
内附二极管正向压降
VSD

1.5V
输入电容CISS

2000pF
共源输出电容COSS

400
栅源电荷密度Qgs
12
nC
栅漏电荷密度Qgd
10
开启时间
t(on)

30ns
关断时间t(off)

50
反向恢复时间trr
132


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