宇芯电子可控硅一站式解决方案提供商专注老鬼看盘今天任九推荐,双向可控硅,国产可控硅,高压可控硅,达林顿芯片等半导体器件的应用服务。
达林顿集成芯片的图片
达林顿集成芯片的图片
当前位置: 首页 ? 产品中心 ? 宇芯微产品 ? MOS管 ? 中低压MOS管 ? 650VN沟道场效应管 GMN6521 SOT-23

产品分类

Product Categories
达林顿集成芯片的图片
650VN沟道场效应管 GMN6521 SOT-23
650VN沟道场效应管 GMN6521 SOT-23
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:GMN6521
产品封装:SOT-23
产品标题:GMN6521 SOT-23 高压MOS管 650VN沟道MOS管
咨询热线:0769-89268116
达林顿集成芯片的图片达林顿集成芯片的图片

产品详情


GMN6521 SOT-23 高压MOS管 650VN沟道MOS管



高压MOS管 GMN6521的引脚图:

blob.png



高压MOS管 GMN6521的极限值:

  • 漏极-源极电压 BVDSS :650V

  • 栅极-源极电压 VGS :±30V

  • 漏极电流-连续 ID :210mA

  • 漏极电流-脉冲 IDM :2A

  • 总耗散功率(TA=25℃) PD :900mW

  • 结温 TJ :150℃

  • 储存温度 Tstg :-55~+150℃



高压MOS管 GMN6521的电特性:

如无特殊说明,TA=25℃

参数符号最小值典型值最大值单位
漏极-源极击穿电压BVDSS650

V
栅极开启电压VGS(th)2.5
3.8
内附二极管正向压降VSD

1.2
零栅压漏极电流IDSS

1uA
栅极漏电流
IGSS

±100nA

静态漏源导通电阻

ID=0.5A,VGS=10V

RDS(ON)
1619Ω
输入电容
CISS
120
pF
输出电容COSS
20
开启时间t(on)
6
ns
关断时间
t(off)
8


产品推荐

Product recommendations
*本站相关网页素材及相关资源均来源互联网,如有侵权请速告知,我们将会在24小时内删除*
技术支持:
泰州荔湾南沙新华黄浦楚雄共和沙坡头