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家电达林顿芯片的图片
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高压功率MOS管 FIR9N65LG TO-252
高压功率MOS管 FIR9N65LG TO-252
产品品牌:美国福斯特
产品类型:高压功率MOS管
产品型号:FIR9N65LG
产品封装:TO-252
产品标题:高压功率MOS管 FIR9N65LG TO-252 贴片MOSFET
咨询热线:0769-89268116
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产品详情


高压功率MOS管 FIR9N65LG TO-252 贴片MOSFET



高压功率MOS管 FIR9N65LG的引脚图:

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高压功率MOS管 FIR9N65LG的极限值:

参数符号数值单位
漏极-源极电压VDSS650V
栅极-源极电压VGSS+30
漏极电流-连续
ID9A
漏极电流-脉冲IDM18
功耗PD55W
结温TJ+150
存储温度TSTG-55~+150



高压功率MOS管 FIR9N65LG的电特性:

符号参数测试条件最小值典型值最大值单位
BVDSS
漏极-源极击穿电压VGS=0V,ID=250μA650

V
IDSS
零栅压漏极电流VDS=650V,VGS=0V

10μA
RDS(ON)
静态漏源导通电阻
VGS=10V,ID=4.5A


1Ω
VGS(TH)栅极开启电压
VDS=VGS,ID=250μA
2
4V



高压功率MOS管 FIR9N65LG的封装外形尺寸:

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