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-60V/-50A 国产MOS管型号 50P06 TO-220
-60V/-50A 国产MOS管型号 50P06 TO-220
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:50P06
产品封装:TO-220
产品标题:-60V/-50A 国产MOS管型号 50P06 TO-220 插件低压MOS MOSFET参数
咨询热线:0769-89027776

产品详情


-60V/-50A 国产MOS管型号 50P06 TO-220 插件低压MOS MOSFET参数



国产MOS管型号 50P06的特点:

  • VDS=-60V

  • ID=-50A

  • RDS(ON)<18mΩ@VGS=-10V

  • 封装:TO-220



国产MOS管型号 50P06的用途:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS不间断电源



国产MOS管型号 50P06的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:-60V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:-50A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:-90A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:101mJ

  • 雪崩电流 IAS:45A

  • 总耗散功率 PD:86.8W

  • 结到环境的热阻 RθJA:62℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:1.44℃/W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:-55~150℃



国产MOS管型号 50P06的电特性:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-60

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-10V,ID=-18A


1318
静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-12A


2935
VGS(th)
栅极开启电压-1-1.8-3V
IGSS

栅极漏电流



±100nA
Qg栅极电荷
25
nC
Qgs栅源电荷密度

6.7
Qgd栅漏电荷密度
5.5
Ciss输入电容
3635
pF
Coss输出电容
224
Crss反向传输电容
141
td(on)开启延迟时间
38
ns
tr开启上升时间
23.6
td(off)关断延迟时间
100
tf
开启下降时间
6.8


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