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N+P沟道MOS管 3G02 SOP-8
N+P沟道MOS管 3G02 SOP-8
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:3G02
产品封装:SOP-8
产品标题:N+P沟道MOS管 3G02 SOP-8 电源用MOS ±20V场效应管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


N+P沟道MOS管 3G02 SOP-8 电源用MOS ±20V场效应管



N+P沟道MOS管 3G02的引脚配置图:

image.png



N+P沟道MOS管 3G02的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
N-CHP-CH
VDS漏极-源极电压20-20
V
VGS栅极-源极电压±12±12
ID漏极电流-连续 (TC=25℃)5.8-3.5A
漏极电流-连续 (TC=100℃)4.9-2.8
IDM漏极电流-脉冲20-15
PD总耗散功率 (TC=25℃)11W
RθJA结到环境的热阻125125℃/W
RθJC结到管壳的热阻8585
TSTG存储温度-55~150-55~150
TJ工作结温-55~150-55~150



N+P沟道MOS管 3G02的电特性(N-CH):

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压30

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=5.8A



27
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=5A



32
静态漏源导通电阻

VGS=2.5V,ID=4A



40
VGS(th)
栅极开启电压0.5
1.2V
IGSS栅极漏电流

±100nA
gfs正向跨导
25
S
Qg栅极电荷
11.5
nC
Qgs栅源电荷密度

1.6


Qgd栅漏电荷密度
2.9
Ciss输入电容
860
pF
Coss输出电容
84
Crss反向传输电容
70
td(on)开启延迟时间
5
ns
tr开启上升时间

47


td(off)关断延迟时间
26
tf
开启下降时间
8



N+P沟道MOS管 3G02的电特性(P-CH):

(如无特殊说明,TJ=25℃)

image.png


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