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30V 5G03 SOP-8 N+P沟道场效应管
30V 5G03 SOP-8 N+P沟道场效应管
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:5G03
产品封装:SOP-8
产品标题:手机快充MOS 30V 5G03 SOP-8 N+P沟道场效应管 MOSFET参数
咨询热线:0769-89027776

产品详情


手机快充MOS 30V 5G03 SOP-8 N+P沟道场效应管 MOSFET参数



手机快充MOS 5G03的产品应用:

  • 手机快速充电

  • 锂电池保护



手机快充MOS 5G03的引脚图:

image.png



手机快充MOS 5G03的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
N-CHP-CH
VDS漏极-源极电压30-30
V
VGS栅极-源极电压±20±20
ID漏极电流-连续 (TA=25℃)6.2-4.8A
漏极电流-连续 (TA=70℃)5-3.8
IDM漏极电流-脉冲24-24
EAS单脉冲雪崩能量26.637mJ
IAS雪崩电流12.715A
PD总耗散功率 (TA=25℃)1.51.5W
RθJA结到环境的热阻8585℃/W
RθJC结到管壳的热阻6060
TSTG存储温度-55~150-55~150
TJ工作结温-55~150-55~150


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