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5G03 DFN3X3-8L N+P 30V增强型MOS
5G03 DFN3X3-8L N+P 30V增强型MOS
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:5G03
产品封装:DFN3X3-8L
产品标题:场效应管主要参数 5G03 DFN3X3-8L N+P 30V增强型MOS 高频电路MOS管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


场效应管主要参数 5G03 DFN3X3-8L N+P 30V增强型MOS 高频电路MOS管



30V增强型MOS 5G03的产品特点:

1、N-CH:

  • VDS=30V

  • ID=8A

  • RDS(ON)<20mΩ@VGS=10V


2、P-CH:

  • VDS=-30V

  • ID=-7.2A

  • RDS(ON)<50mΩ@VGS=-10V



30V增强型MOS 5G03的应用领域:

  • 功率切换应用程序

  • 硬开关和高频电路

  • UPS 不间断电源



30V增强型MOS 5G03的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
N-CHP-CH
VDS漏极-源极电压30-30
V
VGS栅极-源极电压±20±20
ID漏极电流-连续 (TC=25℃)8-7.2A
漏极电流-连续 (TC=100℃)6-5.5
IDM漏极电流-脉冲35-32
EAS单脉冲雪崩能量124mJ
IAS单脉冲雪崩电流1511A
PD总耗散功率 (TC=25℃)1212W
RθJA结到环境的热阻52.552.5℃/W
RθJC结到管壳的热阻5.85.8
TSTG存储温度-55~150-55~150
TJ工作结温-55~150-55~150



30V增强型MOS 5G03的封装外形尺寸图:

image.png


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